| dc.contributor.author | Грибковский В.П. | |
| dc.date.accessioned | 2016-02-22T03:57:40Z | |
| dc.date.available | 2016-02-22T03:57:40Z | |
| dc.date.issued | 1975 | |
| dc.identifier.isbn | | |
| dc.identifier.issn | | |
| dc.identifier.uri | http://ir.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/45421 | |
| dc.description.abstract | В книге с единой точки зрения излагается теория поглощения и усиления света, спонтанной и стимулированной рекомбинации в полупроводниках. Особое внимание уделено взаимодействию вещества с мощными потоками излучения, которые приводят к появлению эффектов насыщения. Впервые в монографической литературе по полупроводникам рассмотрен ряд принципиальных вопросов теории люминесценции: изложена методика вычисления люминесценции как превышения над фоном теплового испускания, сформулирован критерий появления отрицательной люминесценции, проанализировано универсальное соотношение между спектрами люминесценции и поглощения при отсутствии термодинамического равновесия, показана аналогия оптических свойств сложных молекул и полупроводников. | |
| dc.language.iso | Russian | |
| dc.publisher | | |
| dc.subject | Техника\\Электроника | |
| dc.subject | Technique\\Electronics | |
| dc.subject.ddc | | |
| dc.subject.lcc | | |
| dc.title | Теория поглощения и испускания света в полупроводниках | |
| dc.type | other | |
| dc.identifier.aich | 6MSDSVSDK57V2QZ2SP5LGGNUHG6OQJ6N | |
| dc.identifier.crc32 | 87A34E86 | |
| dc.identifier.doi | | |
| dc.identifier.edonkey | FD48003F5C3789CF3FDB75E0A6ED1BF3 | |
| dc.identifier.googlebookid | | |
| dc.identifier.openlibraryid | | |
| dc.identifier.udk | | |
| dc.identifier.bbk | | |
| dc.identifier.libgenid | 2460 | |
| dc.identifier.md5 | 534C3C51268DCAE246A0D38CDA03D2EA | |
| dc.identifier.sha1 | 5DVT4FAAEJM4CYLU36NNYOZ6MSGSCLNC | |
| dc.identifier.tth | 3CPZOJBFW73PJK3635O2TCKCHNPZBKDGGRVWJOY | |
