dc.contributor.author | Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. | |
dc.date.accessioned | 2016-02-22T10:34:24Z | |
dc.date.available | 2016-02-22T10:34:24Z | |
dc.date.issued | 1979 | |
dc.identifier.isbn | | |
dc.identifier.issn | | |
dc.identifier.uri | http://ir.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/52793 | |
dc.description.abstract | В книге рассматриваются физические явления в легированных полупроводниках, для описания которых необходимо учитывать, что электроны находятся в хаотическом поле доноров и акцепторов. К этим явлениям относятся андерсеновская локализация электронов, прыжковая проводимость, переход от металлической проводимости к активационной при изменении степени легирования и компенсации, оптические явления, связанные с хвостами плотности состояний. Современный подход к указанным проблемам в значительной мере основан на теории протекания. В книге дается первый в монографической литературе обзор этой новой математической дисциплины. Детально обсуждается основанный на теории протекания метод вычисления электропроводности сильно неоднородных сред. Систематически излагается теория прыжковой проводимости, построенная с помощью этого метода. Большое внимание уделяется сопоставлению ее результатов с экспериментом. Обсуждаются нерешенные проблемы теории. | |
dc.language.iso | Russian | |
dc.publisher | Наука | |
dc.subject | Техника\\Электроника | |
dc.subject | Technique\\Electronics | |
dc.subject.ddc | | |
dc.subject.lcc | | |
dc.title | Электронные свойства легированных полупроводников | |
dc.type | other | |
dc.identifier.aich | WWQSN6IVO3IM3V7KNG57IIDDUO3K3M4E | |
dc.identifier.crc32 | A90EA8D8 | |
dc.identifier.doi | | |
dc.identifier.edonkey | 935053F73E3AEC21AAD010DD51381E06 | |
dc.identifier.googlebookid | | |
dc.identifier.openlibraryid | | |
dc.identifier.udk | | |
dc.identifier.bbk | | |
dc.identifier.libgenid | 17979 | |
dc.identifier.md5 | 75CA5AE3D65AAAF5C385B09617BF3A37 | |
dc.identifier.sha1 | FH36XNDEIR2YM57VGEB6DZ72FU5YVZNC | |
dc.identifier.tth | MWQ452ABILXXBQ5SMG6UON5UVYSFS4I25YJ3UVI | |