Основы транзисторной электроники

dc.contributor.author	Агаханян Т.М.
dc.date.accessioned	2016-02-22T14:13:44Z
dc.date.available	2016-02-22T14:13:44Z
dc.date.issued	1974
dc.identifier.isbn	3-540-64720-1,0-471-96340-2
dc.identifier.issn
dc.identifier.uri	http://ir.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/57083
dc.description.abstract	Дается описание электронных процессов в полупроводниковых кристаллах. Исследуются импульсные и статические характеристика электронно-дырочного перехода с учётом влияния токов генерации и рекомбинации в переходном слое, канальных токов и токов утечки.
dc.language.iso	Russian
dc.publisher	Энергия
dc.subject	Техника\\Электроника
dc.subject	Technique\\Electronics
dc.subject.ddc
dc.subject.lcc
dc.title	Основы транзисторной электроники
dc.type	other
dc.identifier.aich	36AT7JKRN3RKIILUZN67LC34ZV7I6BTB
dc.identifier.crc32	AEE16401
dc.identifier.doi
dc.identifier.edonkey	8F231B0BB9A18909965F673810B440A8
dc.identifier.googlebookid
dc.identifier.openlibraryid
dc.identifier.udk	621.382.3
dc.identifier.bbk
dc.identifier.libgenid	1253424
dc.identifier.md5	89e21252be3884c8bdeaa0cdffa33251
dc.identifier.sha1	U2VH7RP664O5KAGGLMCERW4BCD74H4EM
dc.identifier.tth	WF6QIRJHNOBJAVD5OWD7NAD4QBEQYI2KW7V2G3Q