| dc.contributor.author | Левинштейн М.Е., Симин Г.С. | |
| dc.date.accessioned | 2016-02-22T17:17:55Z | |
| dc.date.available | 2016-02-22T17:17:55Z | |
| dc.date.issued | 1987 | |
| dc.identifier.isbn | | |
| dc.identifier.issn | | |
| dc.identifier.uri | http://ir.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/60678 | |
| dc.description.abstract | Популярный рассказ о полупроводниковых приборах - о том, как они устроены, как работают, где применяются, как выращивают и очищают полупроводники, как изготавливают интегральные схемы, как зарождалась полупроводниковая электроника и какие удивительные перемены произошли в мире с ее появлением. В основе работы полупроводниковых приборов лежат свойства кристалла, из которого прибор изготовлен, и свойства барьеров, возникающих на границе между различными частями кристалла. Поняв свойства полупроводников и преодолев барьеры, можно разобраться в том, как работает любой прибор - от простейшего диода до самой сложной интегральной схемы.Для учащихся старших классов, студентов, преподавателей. | |
| dc.language.iso | Russian | |
| dc.publisher | Наука | |
| dc.subject | Математика\\Элементарный уровень | |
| dc.subject | Mathematics\\Elementary | |
| dc.subject.ddc | | |
| dc.subject.lcc | | |
| dc.title | Барьеры | |
| dc.type | other | |
| dc.identifier.aich | F73D2CEYQ5V4P4G6SIRHJ4SDVZGGWO7A | |
| dc.identifier.crc32 | EC25C7BE | |
| dc.identifier.doi | | |
| dc.identifier.edonkey | 151E865625CFA0B3C33F0190F351298C | |
| dc.identifier.googlebookid | | |
| dc.identifier.openlibraryid | | |
| dc.identifier.udk | | |
| dc.identifier.bbk | | |
| dc.identifier.libgenid | 11060 | |
| dc.identifier.md5 | 9D8C0EDD3E24C1768A80DC2AD9ACB238 | |
| dc.identifier.sha1 | QL3Q4772CWVYK5NUHWH2LBKUBBU2IQFZ | |
| dc.identifier.tth | 7N3IL3ODQKUBZPYGTSMM5BJQFWD5P3BKDTF4VPQ | |
