Show simple item record

dc.contributor.authorАндо Т., Фаулер А., Стерн Ф. (Ando,Fowler,Stern)
dc.date.accessioned2016-02-22T11:35:30Z
dc.date.available2016-02-22T11:35:30Z
dc.date.issued1985
dc.identifier.isbn
dc.identifier.issn
dc.identifier.urihttp://ir.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/53965
dc.description.abstractОбзор (американских и японских физиков) электронных свойств инверсионных и обогащенных слоев на границах раздела полупроводник - диэлектрик, а также других систем, проявляющих двумерный характер, таких, как электроны в полупроводниковых гетеропереходах и сверхрешетках и на поверхности жидкого гелия. Основное внимание уделяется структуре энергетических уровней, явлениям переноса, и оптическим свойствам системы электронов на границе раздела (100) кремния и двуокиси кремния. Другие системы обсуждаются менее подробно. Для научных работников, специализирующихся по физике поверхности твердого тела, физике полупроводников, полупроводниковой электронике и метрологии.
dc.language.isoRussian
dc.publisherМир
dc.subjectФизика\\Физика твердого тела
dc.subjectPhysics\\Solid State Physics
dc.subject.ddc
dc.subject.lcc
dc.titleЭлектронные свойства двумерных систем
dc.typeother
dc.identifier.aichQ5GT2AYJRENMT2KEHUA5F3CSIPGL6HX5
dc.identifier.crc32FBCDC561
dc.identifier.doi
dc.identifier.edonkey5D010F079566200E6E2A467D802E48EB
dc.identifier.googlebookid
dc.identifier.openlibraryid
dc.identifier.udk
dc.identifier.bbk
dc.identifier.libgenid17907
dc.identifier.md57C6D2612828920A6181B55D5DDE5377E
dc.identifier.sha16LZLGSJ4OVH5C653O5Z2XD6C7HEAYWWB
dc.identifier.tth53TXUT2NF7U7POUESY3QPRLBQUO56ZX2UAIW3SY


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record