dc.contributor.author | Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. | |
dc.date.accessioned | 2016-02-22T05:23:36Z | |
dc.date.available | 2016-02-22T05:23:36Z | |
dc.date.issued | 1989 | |
dc.identifier.isbn | 5283029638 | |
dc.identifier.issn | | |
dc.identifier.uri | http://ir.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/46892 | |
dc.description.abstract | Представлены основы теории взаимодействия ионизирующих излучений с материалами электронной техники. Приведены модели поведения элементов ИМ С в полях ионизирующих излучений. Рассмотрены особенности вторичных ионизационных эффектов - радиационного ''Защелкивания'', радиационно-индуцированного вторичного пробоя и т.д.; влияние остаточных и переходных ионизационных эффектов на характеристики типовых элементов цифровых и аналоговых ИМС. Проанализированы радиационные эффекты в цифровых и аналоговых ИМС общего назначения и рассмотрено радиационное поведение БИС, включая анализ микродозиметрических эффектов, функциональных эффектов. Книги по теме: Обеспечение стойкости аппаратуры связи к ионизирующим и электромагнитным излучениямИонизирующая радиация. Обнаружение, контроль, защита Воздействие радиации на интегральные микросхемы Действие проникающей радиации на изделия электронной техники | |
dc.language.iso | Russian | |
dc.publisher | Энергоатомиздат | |
dc.subject | Техника\\Электроника | |
dc.subject | Technique\\Electronics | |
dc.subject.ddc | | |
dc.subject.lcc | | |
dc.title | Радиационные эффекты в интегральных микросхемах | |
dc.type | other | |
dc.identifier.aich | UOBGYGLYXCGO4QYA7TG25HRRRVUOGFCW | |
dc.identifier.crc32 | 6A23CAB5 | |
dc.identifier.doi | | |
dc.identifier.edonkey | 0C4CEE78F6C3337B9A7DCA842FC5D3AB | |
dc.identifier.googlebookid | | |
dc.identifier.openlibraryid | OL2072417M | |
dc.identifier.udk | | |
dc.identifier.bbk | | |
dc.identifier.libgenid | 281060 | |
dc.identifier.md5 | 5B40033028695EF0199F88C6A41FEFC4 | |
dc.identifier.sha1 | 7UWXUFUDNLU3BLB62QQRI2K3KU2UOLRC | |
dc.identifier.tth | QJQP2MD4PZNJU6SZQYVJESN7CSALRGZ436MOKVI | |