Физика сверхбыстродействующих транзисторов

Abstract

Проблема повышения быстродействия и производительности технических средств обработки цифровой информации - одна из наиболее актуальных в современной электронике. Решение этой проблемы в основном зависит от повышения быстродействия и степени интеграции элементной базы цифровой электроники, и в частности - повышения быстродействия транзисторов. Книга посвящена рассмотрению физических принципов работы биполярных и полевых транзисторов, а также транзисторов на горячих электронах. Обсуждаются основные физические идеи изыскания новых перспективных путей для создания транзисторов, обсуждается освоение для этих целей полупроводников типа арсенида галлия, других соединений и гетероструктур на их основе. Дана сводка предельно достигнутых и достижимых параметров быстродействия транзисторов. Книга предназначена для специалистов, работающих в области физики полупроводников и полупроводниковой электроники, для разработчиков полупроводниковых приборов и интегральных схем, а также аспирантов и студентов. О Юрасе Карловиче Пожела Книги по теме: 1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х т. - М.: Мир, 1984 2. Шалимова К.В. Физика полупроводников. - М.: Энергия, 1976 3. Зеегер К. Физика полупроводников. - М.: Мир, 1977 4. Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов. - Томск: Изд-во Томского университета, 1989 5. Киттель Ч. Введение в физику твёрдого тела. - М.: Наука, 1978 6. Левинштейн М.Е., Симин Г.С. Барьеры. - М.: Наука, 1987 7. Левинштейн М.Е., Симин Г.С. Знакомство с полупроводниками. - М.: Наука, 1984 Книга прислана на сайт пользователем Aleks_K