| dc.contributor.author | Окснер Э. С., Перевод с английского И.Г.Ксендзацкого и Е.А.Коломбета. | |
| dc.date.accessioned | 2016-03-24T15:13:43Z | |
| dc.date.available | 2016-03-24T15:13:43Z | |
| dc.date.issued | 1985 | |
| dc.identifier.isbn | | |
| dc.identifier.issn | | |
| dc.identifier.uri | http://libarch.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/79615 | |
| dc.description.abstract | От издательства: В книге американского специалиста рассматриваются принципы работы, конструктивно-технологические особенности и характеристики основных типов мощных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом и МДП-структурой, описываются их модели различной сложности и назначения, схемотехника многочисленных устройств, для которых наиболее перспективно использование мощных полевых транзисторов, при этом уделяется внимание режимам их работы и возможным причинам отказов. Для разработчиков электронных приборов и специалистов, занимающихся применением мощных полевых транзисторов. | |
| dc.language.iso | Russian | |
| dc.publisher | Радио и связь | |
| dc.subject | Техника\\Электроника | |
| dc.subject | Technique\\Electronics | |
| dc.subject.ddc | | |
| dc.subject.lcc | | |
| dc.title | Мощные полевые транзисторы и их применение | |
| dc.type | other | |
| dc.identifier.aich | 6PBMBHR45SSTBZH324DW2PZX6DLBEO7T | |
| dc.identifier.crc32 | 0F78B9AC | |
| dc.identifier.doi | | |
| dc.identifier.edonkey | F0849249C7EFC6455380BB4C4AC6E5BA | |
| dc.identifier.googlebookid | | |
| dc.identifier.openlibraryid | | |
| dc.identifier.udk | | |
| dc.identifier.bbk | | |
| dc.identifier.libgenid | 1213503 | |
| dc.identifier.md5 | f276d6ebf1b95eb1324dd9ad390e2c02 | |
| dc.identifier.sha1 | J6QQVS4JO7KMO6PBNVQRAJGF3DXURL6T | |
| dc.identifier.tth | LGFVZFHGAIKVRFED6HEJYF5Z7L2J2Z2CRPNCFOQ | |
