| dc.contributor.author | Маллер Р., Кейминс Т. | |
| dc.date.accessioned | 2016-03-24T05:50:24Z | |
| dc.date.available | 2016-03-24T05:50:24Z | |
| dc.date.issued | 1989 | |
| dc.identifier.isbn | 5030011005 | |
| dc.identifier.issn | | |
| dc.identifier.uri | http://libarch.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/67982 | |
| dc.description.abstract | В книге американских специалистов изложены основы физики и технологии изготовления элементов кремниевых ИС, принципы их действия, вопросырасчета и конструирования, а также математические модели, используемые дляпроектирования как самих элементов, так и цифровых и аналоговых ИС на ихоснове. Большое внимание уделяется математическим моделям элементов ИС, предназначенным для систем автоматизированного проектирования. Рассмотрен ряд специфических для ИС элементов: биполярные транзисторы с оксиднойизоляцией, КМОП-структуры и т. д. Для специалистов по проектированию полупроводниковых ИС, инженеров-технологов полупроводникового производства, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей. | |
| dc.language.iso | Russian | |
| dc.publisher | Мир | |
| dc.subject | Техника\\Электроника | |
| dc.subject | Technique\\Electronics | |
| dc.subject.ddc | | |
| dc.subject.lcc | | |
| dc.title | Элементы интегральных схем | |
| dc.type | other | |
| dc.identifier.aich | KPWBJO7O2ZFTX6C3E5YBPH6LFB7VMRL3 | |
| dc.identifier.crc32 | 3E770DA1 | |
| dc.identifier.doi | | |
| dc.identifier.edonkey | B2A50594D0A050EA38BC435288C11FAC | |
| dc.identifier.googlebookid | | |
| dc.identifier.openlibraryid | | |
| dc.identifier.udk | | |
| dc.identifier.bbk | | |
| dc.identifier.libgenid | 277636 | |
| dc.identifier.md5 | FE7DB9E0659760679ABB5D7E68100795 | |
| dc.identifier.sha1 | VOGLOQZUWWFQZGTKD2TWV5XRHLCCB2UY | |
| dc.identifier.tth | ZOQ5IGFNCYNOKP2SH6BJI4KZFG2YM5HNHDOFCHI | |
