• русский
    • українська
    • English
    • Deutsch
    • español
    • italiano
  • українська 
    • русский
    • українська
    • English
    • Deutsch
    • español
    • italiano
  • Ввійти
Перегляд матеріалів 
  •   Головна сторінка DSpace
  • Genofond
  • Libgen
  • Перегляд матеріалів
  •   Головна сторінка DSpace
  • Genofond
  • Libgen
  • Перегляд матеріалів
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Барьеры (От кристалла до интегральной схемы)

Thumbnail
Переглянути
43492000328f1d996d93cc9e6cb78468.djvu (13.56Mb)
Дата
1987
Автор
Левинштейн Михаил Ефимович, Симин Григорий Соломонович
Metadata
Показати повний опис матеріалу
Короткий опис(реферат)
Аннотация: Популярный рассказ о полупроводниковых приборах - том, как они устроены, как работают, где применяются, как выращивают и очищают полупроводники, как изготавливают интегральные схемы, как зарождалась полупроводниковая электроника и какие удивительные перемены произошли в мире с ее появлением. В основе работы полупроводниковых приборов лежат свойства кристалла, из которого прибор изготовлен, и свойства барьеров, возникающих на границе между различными частями кристалла. Поняв свойства полупроводников и преодолев барьеры, можно разобраться в том, как работает любой прибор - от простейшего диода до самой сложной интегральной схемы. Для учащихся старших классов, студентов, преподавателей.
URI
http://ir.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/42049
Collections
  • Libgen [81666]

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Контакти | Зворотній зв'язок
Theme by 
Atmire NV
 

 

Перегляд

Всі матеріалиФонди та колекціїЗа датою публикаціїАвториЗаголовкиТемиКолекціяЗа датою публикаціїАвториЗаголовкиТеми

Мій профіль

ВвійтиЗареєструватися

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Контакти | Зворотній зв'язок
Theme by 
Atmire NV