Mostrar el registro sencillo del ítem
Основы транзисторной электроники
dc.contributor.author | Агаханян Т.М. | |
dc.date.accessioned | 2016-02-22T14:13:44Z | |
dc.date.available | 2016-02-22T14:13:44Z | |
dc.date.issued | 1974 | |
dc.identifier.isbn | 3-540-64720-1,0-471-96340-2 | |
dc.identifier.issn | ||
dc.identifier.uri | http://ir.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/57083 | |
dc.description.abstract | Дается описание электронных процессов в полупроводниковых кристаллах. Исследуются импульсные и статические характеристика электронно-дырочного перехода с учётом влияния токов генерации и рекомбинации в переходном слое, канальных токов и токов утечки. | |
dc.language.iso | Russian | |
dc.publisher | Энергия | |
dc.subject | Техника\\Электроника | |
dc.subject | Technique\\Electronics | |
dc.subject.ddc | ||
dc.subject.lcc | ||
dc.title | Основы транзисторной электроники | |
dc.type | other | |
dc.identifier.aich | 36AT7JKRN3RKIILUZN67LC34ZV7I6BTB | |
dc.identifier.crc32 | AEE16401 | |
dc.identifier.doi | ||
dc.identifier.edonkey | 8F231B0BB9A18909965F673810B440A8 | |
dc.identifier.googlebookid | ||
dc.identifier.openlibraryid | ||
dc.identifier.udk | 621.382.3 | |
dc.identifier.bbk | ||
dc.identifier.libgenid | 1253424 | |
dc.identifier.md5 | 89e21252be3884c8bdeaa0cdffa33251 | |
dc.identifier.sha1 | U2VH7RP664O5KAGGLMCERW4BCD74H4EM | |
dc.identifier.tth | WF6QIRJHNOBJAVD5OWD7NAD4QBEQYI2KW7V2G3Q |
Ficheros en el ítem
Este ítem aparece en la(s) siguiente(s) colección(ones)
-
Libgen [81666]