Основы транзисторной электроники

Abstract

Дается описание электронных процессов в полупроводниковых кристаллах. Исследуются импульсные и статические характеристика электронно-дырочного перехода с учётом влияния токов генерации и рекомбинации в переходном слое, канальных токов и токов утечки.