• русский
    • українська
    • English
    • Deutsch
    • español
    • italiano
  • español 
    • русский
    • українська
    • English
    • Deutsch
    • español
    • italiano
  • Login
Ver ítem 
  •   DSpace Principal
  • Genofond
  • Libgen
  • Ver ítem
  •   DSpace Principal
  • Genofond
  • Libgen
  • Ver ítem
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Двумерные заряженные системы в гелии

Thumbnail
Ver/
d2b4f82e9a3911b0c16d67a9256c9548.djvu (2.680Mb)
Fecha
1989
Autor
Шикин В.Б., Монарха Ю.П.
Metadatos
Mostrar el registro completo del ítem
Resumen
Обсуждены физические причины, приводящие к локализации зарядов вблизи поверхности гелия. Исследован спектр поверхностных заряженных состояний в различных внешних полях. Детально изучены взаимодействие электронов с колебаниями свободной поверхности гелия и вклад этого взаимодействия в различные кинетические характеристики электронной системы над гелием. Дано описание коллективных явлений на заряженной поверхности гелия, наиболее фундаментальным из которых является вигнеровская кристаллизация в двумерной заряженной системе над гелием. Предлагается введение в физику двумерных заряженных систем в различных полупроводниковых структурах. Все разделы книги сопровождаются обсуждением экспериментальной информации, находящейся как правило, в хорошем согласии с предсказаниями теории. Для научных работников, а также аспирантов и студентов, специализирующихся в области твердого тела.
URI
http://libarch.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/75111
Colecciones
  • Libgen [81666]

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Contacto | Sugerencias
Theme by 
Atmire NV
 

 

Listar

Todo DSpaceComunidades & ColeccionesPor fecha de publicaciónAutoresTítulosMateriasEsta colecciónPor fecha de publicaciónAutoresTítulosMaterias

Mi cuenta

AccederRegistro

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Contacto | Sugerencias
Theme by 
Atmire NV