Show simple item record

dc.contributor.authorАгаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К.
dc.date.accessioned2016-02-22T05:23:36Z
dc.date.available2016-02-22T05:23:36Z
dc.date.issued1989
dc.identifier.isbn5283029638
dc.identifier.issn
dc.identifier.urihttp://ir.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/46892
dc.description.abstractПредставлены основы теории взаимодействия ионизирующих излучений с материалами электронной техники. Приведены модели поведения элементов ИМ С в полях ионизирующих излучений. Рассмотрены особенности вторичных ионизационных эффектов - радиационного ''Защелкивания'', радиационно-индуцированного вторичного пробоя и т.д.; влияние остаточных и переходных ионизационных эффектов на характеристики типовых элементов цифровых и аналоговых ИМС. Проанализированы радиационные эффекты в цифровых и аналоговых ИМС общего назначения и рассмотрено радиационное поведение БИС, включая анализ микродозиметрических эффектов, функциональных эффектов. Книги по теме: Обеспечение стойкости аппаратуры связи к ионизирующим и электромагнитным излучениямИонизирующая радиация. Обнаружение, контроль, защита Воздействие радиации на интегральные микросхемы Действие проникающей радиации на изделия электронной техники
dc.language.isoRussian
dc.publisherЭнергоатомиздат
dc.subjectТехника\\Электроника
dc.subjectTechnique\\Electronics
dc.subject.ddc
dc.subject.lcc
dc.titleРадиационные эффекты в интегральных микросхемах
dc.typeother
dc.identifier.aichUOBGYGLYXCGO4QYA7TG25HRRRVUOGFCW
dc.identifier.crc326A23CAB5
dc.identifier.doi
dc.identifier.edonkey0C4CEE78F6C3337B9A7DCA842FC5D3AB
dc.identifier.googlebookid
dc.identifier.openlibraryidOL2072417M
dc.identifier.udk
dc.identifier.bbk
dc.identifier.libgenid281060
dc.identifier.md55B40033028695EF0199F88C6A41FEFC4
dc.identifier.sha17UWXUFUDNLU3BLB62QQRI2K3KU2UOLRC
dc.identifier.tthQJQP2MD4PZNJU6SZQYVJESN7CSALRGZ436MOKVI


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record