Радиационные эффекты в интегральных микросхемах

Abstract

Представлены основы теории взаимодействия ионизирующих излучений с материалами электронной техники. Приведены модели поведения элементов ИМ С в полях ионизирующих излучений. Рассмотрены особенности вторичных ионизационных эффектов - радиационного ''Защелкивания'', радиационно-индуцированного вторичного пробоя и т.д.; влияние остаточных и переходных ионизационных эффектов на характеристики типовых элементов цифровых и аналоговых ИМС. Проанализированы радиационные эффекты в цифровых и аналоговых ИМС общего назначения и рассмотрено радиационное поведение БИС, включая анализ микродозиметрических эффектов, функциональных эффектов. Книги по теме: Обеспечение стойкости аппаратуры связи к ионизирующим и электромагнитным излучениямИонизирующая радиация. Обнаружение, контроль, защита Воздействие радиации на интегральные микросхемы Действие проникающей радиации на изделия электронной техники