• русский
    • українська
    • English
    • Deutsch
    • español
    • italiano
  • español 
    • русский
    • українська
    • English
    • Deutsch
    • español
    • italiano
  • Login
Ver ítem 
  •   DSpace Principal
  • Genofond
  • Libgen
  • Ver ítem
  •   DSpace Principal
  • Genofond
  • Libgen
  • Ver ítem
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Радиационные эффекты в интегральных микросхемах

Thumbnail
Ver/
5b40033028695ef0199f88c6a41fefc4.djvu (3.152Mb)
Fecha
1989
Autor
Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К.
Metadatos
Mostrar el registro completo del ítem
Resumen
Представлены основы теории взаимодействия ионизирующих излучений с материалами электронной техники. Приведены модели поведения элементов ИМ С в полях ионизирующих излучений. Рассмотрены особенности вторичных ионизационных эффектов - радиационного ''Защелкивания'', радиационно-индуцированного вторичного пробоя и т.д.; влияние остаточных и переходных ионизационных эффектов на характеристики типовых элементов цифровых и аналоговых ИМС. Проанализированы радиационные эффекты в цифровых и аналоговых ИМС общего назначения и рассмотрено радиационное поведение БИС, включая анализ микродозиметрических эффектов, функциональных эффектов. Книги по теме: Обеспечение стойкости аппаратуры связи к ионизирующим и электромагнитным излучениямИонизирующая радиация. Обнаружение, контроль, защита Воздействие радиации на интегральные микросхемы Действие проникающей радиации на изделия электронной техники
URI
http://ir.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/46892
Colecciones
  • Libgen [81666]

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Contacto | Sugerencias
Theme by 
Atmire NV
 

 

Listar

Todo DSpaceComunidades & ColeccionesPor fecha de publicaciónAutoresTítulosMateriasEsta colecciónPor fecha de publicaciónAutoresTítulosMaterias

Mi cuenta

AccederRegistro

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Contacto | Sugerencias
Theme by 
Atmire NV