| dc.contributor.author | Бургер Р., Донован Р. (ред.) | |
| dc.date.accessioned | 2016-02-22T12:32:22Z | |
| dc.date.available | 2016-02-22T12:32:22Z | |
| dc.date.issued | 1969 | |
| dc.identifier.isbn | | |
| dc.identifier.issn | | |
| dc.identifier.uri | http://ir.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/55100 | |
| dc.description.abstract | Книга посвящена процессам окисления, диффузии и эпитаксии кремния. По существу изложенный материал охватывает основные процессы планарной технологии - наиболее универсальной современной технологии, позволяющей производить любые полупроводниковые приборы от простейшего диода до сложнейших интегральных субсистем. Использованы малоизвестные или не публиковавшиеся ранее данные и сведения из отчетов фирм и докладов на конференциях. Приведено большое количество графиков и поясняющих схем. | |
| dc.language.iso | Russian | |
| dc.publisher | Мир | |
| dc.subject | Техника\\Электроника: Электротехника | |
| dc.subject | Technique\\Electronics: Electronics | |
| dc.subject.ddc | | |
| dc.subject.lcc | | |
| dc.title | Основы технологии кремниевых ИС: Окисление, диффузия, эпитаксия | |
| dc.type | other | |
| dc.identifier.aich | X5Q4RGCTVUYS3GJIRRPYKK3NU6REGKQY | |
| dc.identifier.crc32 | 02A5C578 | |
| dc.identifier.doi | | |
| dc.identifier.edonkey | 737397BC36F5B32692EE9DBE98CAA31D | |
| dc.identifier.googlebookid | | |
| dc.identifier.openlibraryid | | |
| dc.identifier.udk | | |
| dc.identifier.bbk | | |
| dc.identifier.libgenid | 1935 | |
| dc.identifier.md5 | 803F1ED7CFFD95E147D1ED07BB47691C | |
| dc.identifier.sha1 | EOUAS23M4AA46ZZVE2CKSEVXSTAP3R5B | |
| dc.identifier.tth | UBUBF665MQEFGKDER6HW5EYH65MNADLO45E6D5I | |
