• русский
    • українська
    • English
    • Deutsch
    • español
    • italiano
  • español 
    • русский
    • українська
    • English
    • Deutsch
    • español
    • italiano
  • Login
Ver ítem 
  •   DSpace Principal
  • Genofond
  • Libgen
  • Ver ítem
  •   DSpace Principal
  • Genofond
  • Libgen
  • Ver ítem
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Основы технологии кремниевых ИС: Окисление, диффузия, эпитаксия

Thumbnail
Ver/
803f1ed7cffd95e147d1ed07bb47691c.djvu (4.963Mb)
Fecha
1969
Autor
Бургер Р., Донован Р. (ред.)
Metadatos
Mostrar el registro completo del ítem
Resumen
Книга посвящена процессам окисления, диффузии и эпитаксии кремния. По существу изложенный материал охватывает основные процессы планарной технологии - наиболее универсальной современной технологии, позволяющей производить любые полупроводниковые приборы от простейшего диода до сложнейших интегральных субсистем. Использованы малоизвестные или не публиковавшиеся ранее данные и сведения из отчетов фирм и докладов на конференциях. Приведено большое количество графиков и поясняющих схем.
URI
http://ir.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/55100
Colecciones
  • Libgen [81666]

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Contacto | Sugerencias
Theme by 
Atmire NV
 

 

Listar

Todo DSpaceComunidades & ColeccionesPor fecha de publicaciónAutoresTítulosMateriasEsta colecciónPor fecha de publicaciónAutoresTítulosMaterias

Mi cuenta

AccederRegistro

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Contacto | Sugerencias
Theme by 
Atmire NV