• русский
    • українська
    • English
    • Deutsch
    • español
    • italiano
  • italiano 
    • русский
    • українська
    • English
    • Deutsch
    • español
    • italiano
  • Login
Mostra Item 
  •   DSpace Home
  • Genofond
  • Libgen
  • Mostra Item
  •   DSpace Home
  • Genofond
  • Libgen
  • Mostra Item
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Основы технологии кремниевых ИС: Окисление, диффузия, эпитаксия

Thumbnail
Mostra/Apri
803f1ed7cffd95e147d1ed07bb47691c.djvu (4.963Mb)
Data
1969
Autore
Бургер Р., Донован Р. (ред.)
Metadata
Mostra tutti i dati dell'item
Abstract
Книга посвящена процессам окисления, диффузии и эпитаксии кремния. По существу изложенный материал охватывает основные процессы планарной технологии - наиболее универсальной современной технологии, позволяющей производить любые полупроводниковые приборы от простейшего диода до сложнейших интегральных субсистем. Использованы малоизвестные или не публиковавшиеся ранее данные и сведения из отчетов фирм и докладов на конференциях. Приведено большое количество графиков и поясняющих схем.
URI
http://ir.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/55100
Collections
  • Libgen [81666]

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Contattaci | Manda Feedback
Theme by 
Atmire NV
 

 

Ricerca

Tutto DSpaceArchivi & CollezioniData di pubblicazioneAutoriTitoliSoggettiQuesta CollezioneData di pubblicazioneAutoriTitoliSoggetti

My Account

LoginRegistrazione

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Contattaci | Manda Feedback
Theme by 
Atmire NV