Zur Kurzanzeige

dc.contributor.authorФистуль Виктор Ильич
dc.date.accessioned2016-03-24T07:39:49Z
dc.date.available2016-03-24T07:39:49Z
dc.date.issued1967
dc.identifier.isbn
dc.identifier.issn
dc.identifier.urihttp://libarch.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/70247
dc.description.abstractАННОТАЦИЯ В последние годы возможности радиоэлектроники и полупроводниковой техники значительно рйсширились в связи с использованием сильно легированных (вырожденных) полупроводников. Они являются основой важнейших приборов: туннельных диодов, лазеров, датчиков Холла и многих других. Физические явления в сильно легированных полупроводниках и их применение привлекают внимание широкого круга физиков, химиков и инженеров. Ни в Советском Союзе, ни за рубежом до сих пор не было монографии, обобщающей обширный материал, касающийся сильно легированных полупроводников. Настоящая монография восполняет этот пробел. Книга предназначена для физиков, химиков и металлургов, исследующих свойства полупроводниковых материалов, а также для инженеров, занимающихся технологией изготовления полупроводниковых приборов.
dc.language.isoRussian
dc.publisherНаука
dc.subjectТехника\\Электроника
dc.subjectTechnique\\Electronics
dc.subject.ddc
dc.subject.lcc
dc.titleСильно легированные полупроводники
dc.typeother
dc.identifier.aichQ2MPDKTWG4VCMX2SY7BFU2B47B5RNN4L
dc.identifier.crc320F0738BC
dc.identifier.doi
dc.identifier.edonkey5430C1EF45ECD2D2BCB088EF98CFCA3F
dc.identifier.googlebookid
dc.identifier.openlibraryid
dc.identifier.udk537. 311. 33
dc.identifier.bbk
dc.identifier.libgenid884953
dc.identifier.md5afa1f5a8310f8e15863c15b0a97c1e26
dc.identifier.sha1NJMT3LOWWB2BKSV4M4I5JD6XEH4ZHXCM
dc.identifier.tthASZUCG5D6ER4ETWEUG2HDAV7CHH6CCLW4GPM7QA


Dateien zu dieser Ressource

Thumbnail

Das Dokument erscheint in:

Zur Kurzanzeige