• русский
    • українська
    • English
    • Deutsch
    • español
    • italiano
  • українська 
    • русский
    • українська
    • English
    • Deutsch
    • español
    • italiano
  • Ввійти
Перегляд матеріалів 
  •   Головна сторінка DSpace
  • Genofond
  • Libgen
  • Перегляд матеріалів
  •   Головна сторінка DSpace
  • Genofond
  • Libgen
  • Перегляд матеріалів
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Сильно легированные полупроводники

Thumbnail
Переглянути
afa1f5a8310f8e15863c15b0a97c1e26.pdf (17.08Mb)
Дата
1967
Автор
Фистуль Виктор Ильич
Metadata
Показати повний опис матеріалу
Короткий опис(реферат)
АННОТАЦИЯ В последние годы возможности радиоэлектроники и полупроводниковой техники значительно рйсширились в связи с использованием сильно легированных (вырожденных) полупроводников. Они являются основой важнейших приборов: туннельных диодов, лазеров, датчиков Холла и многих других. Физические явления в сильно легированных полупроводниках и их применение привлекают внимание широкого круга физиков, химиков и инженеров. Ни в Советском Союзе, ни за рубежом до сих пор не было монографии, обобщающей обширный материал, касающийся сильно легированных полупроводников. Настоящая монография восполняет этот пробел. Книга предназначена для физиков, химиков и металлургов, исследующих свойства полупроводниковых материалов, а также для инженеров, занимающихся технологией изготовления полупроводниковых приборов.
URI
http://libarch.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/70247
Collections
  • Libgen [81666]

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Контакти | Зворотній зв'язок
Theme by 
Atmire NV
 

 

Перегляд

Всі матеріалиФонди та колекціїЗа датою публикаціїАвториЗаголовкиТемиКолекціяЗа датою публикаціїАвториЗаголовкиТеми

Мій профіль

ВвійтиЗареєструватися

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Контакти | Зворотній зв'язок
Theme by 
Atmire NV