• русский
    • українська
    • English
    • Deutsch
    • español
    • italiano
  • Deutsch 
    • русский
    • українська
    • English
    • Deutsch
    • español
    • italiano
  • Einloggen
Dokumentanzeige 
  •   DSpace Startseite
  • Genofond
  • Libgen
  • Dokumentanzeige
  •   DSpace Startseite
  • Genofond
  • Libgen
  • Dokumentanzeige
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Сильно легированные полупроводники

Thumbnail
Öffnen
afa1f5a8310f8e15863c15b0a97c1e26.pdf (17.08Mb)
Datum
1967
Autor
Фистуль Виктор Ильич
Metadata
Zur Langanzeige
Zusammenfassung
АННОТАЦИЯ В последние годы возможности радиоэлектроники и полупроводниковой техники значительно рйсширились в связи с использованием сильно легированных (вырожденных) полупроводников. Они являются основой важнейших приборов: туннельных диодов, лазеров, датчиков Холла и многих других. Физические явления в сильно легированных полупроводниках и их применение привлекают внимание широкого круга физиков, химиков и инженеров. Ни в Советском Союзе, ни за рубежом до сих пор не было монографии, обобщающей обширный материал, касающийся сильно легированных полупроводников. Настоящая монография восполняет этот пробел. Книга предназначена для физиков, химиков и металлургов, исследующих свойства полупроводниковых материалов, а также для инженеров, занимающихся технологией изготовления полупроводниковых приборов.
URI
http://libarch.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/70247
Collections
  • Libgen [81666]

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Kontakt | Feedback abschicken
Theme by 
Atmire NV
 

 

Stöbern

Gesamter BestandBereiche & SammlungenErscheinungsdatumAutorenTitelnSchlagwortenDiese SammlungErscheinungsdatumAutorenTitelnSchlagworten

Mein Benutzerkonto

EinloggenRegistrieren

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Kontakt | Feedback abschicken
Theme by 
Atmire NV