Mostra i principali dati dell'item
Теория поглощения и испускания света в полупроводниках
dc.contributor.author | Грибковский В.П. | |
dc.date.accessioned | 2016-02-22T03:57:40Z | |
dc.date.available | 2016-02-22T03:57:40Z | |
dc.date.issued | 1975 | |
dc.identifier.isbn | ||
dc.identifier.issn | ||
dc.identifier.uri | http://ir.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/45421 | |
dc.description.abstract | В книге с единой точки зрения излагается теория поглощения и усиления света, спонтанной и стимулированной рекомбинации в полупроводниках. Особое внимание уделено взаимодействию вещества с мощными потоками излучения, которые приводят к появлению эффектов насыщения. Впервые в монографической литературе по полупроводникам рассмотрен ряд принципиальных вопросов теории люминесценции: изложена методика вычисления люминесценции как превышения над фоном теплового испускания, сформулирован критерий появления отрицательной люминесценции, проанализировано универсальное соотношение между спектрами люминесценции и поглощения при отсутствии термодинамического равновесия, показана аналогия оптических свойств сложных молекул и полупроводников. | |
dc.language.iso | Russian | |
dc.publisher | ||
dc.subject | Техника\\Электроника | |
dc.subject | Technique\\Electronics | |
dc.subject.ddc | ||
dc.subject.lcc | ||
dc.title | Теория поглощения и испускания света в полупроводниках | |
dc.type | other | |
dc.identifier.aich | 6MSDSVSDK57V2QZ2SP5LGGNUHG6OQJ6N | |
dc.identifier.crc32 | 87A34E86 | |
dc.identifier.doi | ||
dc.identifier.edonkey | FD48003F5C3789CF3FDB75E0A6ED1BF3 | |
dc.identifier.googlebookid | ||
dc.identifier.openlibraryid | ||
dc.identifier.udk | ||
dc.identifier.bbk | ||
dc.identifier.libgenid | 2460 | |
dc.identifier.md5 | 534C3C51268DCAE246A0D38CDA03D2EA | |
dc.identifier.sha1 | 5DVT4FAAEJM4CYLU36NNYOZ6MSGSCLNC | |
dc.identifier.tth | 3CPZOJBFW73PJK3635O2TCKCHNPZBKDGGRVWJOY |
Files in questo item
Questo item appare nelle seguenti collezioni
-
Libgen [81666]