• русский
    • українська
    • English
    • Deutsch
    • español
    • italiano
  • русский 
    • русский
    • українська
    • English
    • Deutsch
    • español
    • italiano
  • Войти
Просмотр элемента 
  •   Главная
  • Genofond
  • Libgen
  • Просмотр элемента
  •   Главная
  • Genofond
  • Libgen
  • Просмотр элемента
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Теория поглощения и испускания света в полупроводниках

Thumbnail
Открыть
534c3c51268dcae246a0d38cda03d2ea.djvu (5.358Mb)
Дата
1975
Автор
Грибковский В.П.
Metadata
Показать полную информацию
Аннотации
В книге с единой точки зрения излагается теория поглощения и усиления света, спонтанной и стимулированной рекомбинации в полупроводниках. Особое внимание уделено взаимодействию вещества с мощными потоками излучения, которые приводят к появлению эффектов насыщения. Впервые в монографической литературе по полупроводникам рассмотрен ряд принципиальных вопросов теории люминесценции: изложена методика вычисления люминесценции как превышения над фоном теплового испускания, сформулирован критерий появления отрицательной люминесценции, проанализировано универсальное соотношение между спектрами люминесценции и поглощения при отсутствии термодинамического равновесия, показана аналогия оптических свойств сложных молекул и полупроводников.
URI
http://ir.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/45421
Collections
  • Libgen [81666]

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Контакты | Отправить отзыв
Theme by 
Atmire NV
 

 

Просмотр

Весь DSpaceСообщества и коллекцииДата публикацииАвторыНазванияТематикаЭта коллекцияДата публикацииАвторыНазванияТематика

Моя учетная запись

ВойтиРегистрация

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Контакты | Отправить отзыв
Theme by 
Atmire NV