• русский
    • українська
    • English
    • Deutsch
    • español
    • italiano
  • українська 
    • русский
    • українська
    • English
    • Deutsch
    • español
    • italiano
  • Ввійти
Перегляд матеріалів 
  •   Головна сторінка DSpace
  • Genofond
  • Libgen
  • Перегляд матеріалів
  •   Головна сторінка DSpace
  • Genofond
  • Libgen
  • Перегляд матеріалів
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Теория поглощения и испускания света в полупроводниках

Thumbnail
Переглянути
534c3c51268dcae246a0d38cda03d2ea.djvu (5.358Mb)
Дата
1975
Автор
Грибковский В.П.
Metadata
Показати повний опис матеріалу
Короткий опис(реферат)
В книге с единой точки зрения излагается теория поглощения и усиления света, спонтанной и стимулированной рекомбинации в полупроводниках. Особое внимание уделено взаимодействию вещества с мощными потоками излучения, которые приводят к появлению эффектов насыщения. Впервые в монографической литературе по полупроводникам рассмотрен ряд принципиальных вопросов теории люминесценции: изложена методика вычисления люминесценции как превышения над фоном теплового испускания, сформулирован критерий появления отрицательной люминесценции, проанализировано универсальное соотношение между спектрами люминесценции и поглощения при отсутствии термодинамического равновесия, показана аналогия оптических свойств сложных молекул и полупроводников.
URI
http://ir.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/45421
Collections
  • Libgen [81666]

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Контакти | Зворотній зв'язок
Theme by 
Atmire NV
 

 

Перегляд

Всі матеріалиФонди та колекціїЗа датою публикаціїАвториЗаголовкиТемиКолекціяЗа датою публикаціїАвториЗаголовкиТеми

Мій профіль

ВвійтиЗареєструватися

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Контакти | Зворотній зв'язок
Theme by 
Atmire NV