Показать сокращенную информацию

Основы технологии кремниевых ИС: Окисление, диффузия, эпитаксия

dc.contributor.authorБургер Р., Донован Р. (ред.)
dc.date.accessioned2016-02-22T12:32:22Z
dc.date.available2016-02-22T12:32:22Z
dc.date.issued1969
dc.identifier.isbn
dc.identifier.issn
dc.identifier.urihttp://ir.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/55100
dc.description.abstractКнига посвящена процессам окисления, диффузии и эпитаксии кремния. По существу изложенный материал охватывает основные процессы планарной технологии - наиболее универсальной современной технологии, позволяющей производить любые полупроводниковые приборы от простейшего диода до сложнейших интегральных субсистем. Использованы малоизвестные или не публиковавшиеся ранее данные и сведения из отчетов фирм и докладов на конференциях. Приведено большое количество графиков и поясняющих схем.
dc.language.isoRussian
dc.publisherМир
dc.subjectТехника\\Электроника: Электротехника
dc.subjectTechnique\\Electronics: Electronics
dc.subject.ddc
dc.subject.lcc
dc.titleОсновы технологии кремниевых ИС: Окисление, диффузия, эпитаксия
dc.typeother
dc.identifier.aichX5Q4RGCTVUYS3GJIRRPYKK3NU6REGKQY
dc.identifier.crc3202A5C578
dc.identifier.doi
dc.identifier.edonkey737397BC36F5B32692EE9DBE98CAA31D
dc.identifier.googlebookid
dc.identifier.openlibraryid
dc.identifier.udk
dc.identifier.bbk
dc.identifier.libgenid1935
dc.identifier.md5803F1ED7CFFD95E147D1ED07BB47691C
dc.identifier.sha1EOUAS23M4AA46ZZVE2CKSEVXSTAP3R5B
dc.identifier.tthUBUBF665MQEFGKDER6HW5EYH65MNADLO45E6D5I


Файлы в этом документе

Thumbnail
Имя:
803f1ed7cffd95e147d1ed07bb4769 ...
Размер:
4.963Mb
Формат:
Unknown
Открыть

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать сокращенную информацию