| dc.contributor.author | Фистуль Виктор Ильич | |
| dc.date.accessioned | 2016-03-24T07:39:49Z | |
| dc.date.available | 2016-03-24T07:39:49Z | |
| dc.date.issued | 1967 | |
| dc.identifier.isbn | | |
| dc.identifier.issn | | |
| dc.identifier.uri | http://libarch.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/70247 | |
| dc.description.abstract | АННОТАЦИЯ
В последние годы возможности радиоэлектроники и полупроводниковой техники значительно рйсширились в связи с использованием сильно легированных (вырожденных) полупроводников. Они являются основой важнейших приборов: туннельных диодов, лазеров, датчиков Холла и многих других. Физические явления в сильно легированных полупроводниках и их применение привлекают внимание широкого круга физиков, химиков и инженеров. Ни в Советском Союзе, ни за рубежом до сих пор не было монографии, обобщающей обширный материал, касающийся сильно легированных полупроводников. Настоящая монография восполняет этот пробел.
Книга предназначена для физиков, химиков и металлургов, исследующих свойства полупроводниковых материалов, а также для инженеров, занимающихся технологией изготовления полупроводниковых приборов. | |
| dc.language.iso | Russian | |
| dc.publisher | Наука | |
| dc.subject | Техника\\Электроника | |
| dc.subject | Technique\\Electronics | |
| dc.subject.ddc | | |
| dc.subject.lcc | | |
| dc.title | Сильно легированные полупроводники | |
| dc.type | other | |
| dc.identifier.aich | Q2MPDKTWG4VCMX2SY7BFU2B47B5RNN4L | |
| dc.identifier.crc32 | 0F0738BC | |
| dc.identifier.doi | | |
| dc.identifier.edonkey | 5430C1EF45ECD2D2BCB088EF98CFCA3F | |
| dc.identifier.googlebookid | | |
| dc.identifier.openlibraryid | | |
| dc.identifier.udk | 537. 311. 33 | |
| dc.identifier.bbk | | |
| dc.identifier.libgenid | 884953 | |
| dc.identifier.md5 | afa1f5a8310f8e15863c15b0a97c1e26 | |
| dc.identifier.sha1 | NJMT3LOWWB2BKSV4M4I5JD6XEH4ZHXCM | |
| dc.identifier.tth | ASZUCG5D6ER4ETWEUG2HDAV7CHH6CCLW4GPM7QA | |
