• русский
    • українська
    • English
    • Deutsch
    • español
    • italiano
  • español 
    • русский
    • українська
    • English
    • Deutsch
    • español
    • italiano
  • Login
Ver ítem 
  •   DSpace Principal
  • Genofond
  • Libgen
  • Ver ítem
  •   DSpace Principal
  • Genofond
  • Libgen
  • Ver ítem
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Сильно легированные полупроводники

Thumbnail
Ver/
afa1f5a8310f8e15863c15b0a97c1e26.pdf (17.08Mb)
Fecha
1967
Autor
Фистуль Виктор Ильич
Metadatos
Mostrar el registro completo del ítem
Resumen
АННОТАЦИЯ В последние годы возможности радиоэлектроники и полупроводниковой техники значительно рйсширились в связи с использованием сильно легированных (вырожденных) полупроводников. Они являются основой важнейших приборов: туннельных диодов, лазеров, датчиков Холла и многих других. Физические явления в сильно легированных полупроводниках и их применение привлекают внимание широкого круга физиков, химиков и инженеров. Ни в Советском Союзе, ни за рубежом до сих пор не было монографии, обобщающей обширный материал, касающийся сильно легированных полупроводников. Настоящая монография восполняет этот пробел. Книга предназначена для физиков, химиков и металлургов, исследующих свойства полупроводниковых материалов, а также для инженеров, занимающихся технологией изготовления полупроводниковых приборов.
URI
http://libarch.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/70247
Colecciones
  • Libgen [81666]

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Contacto | Sugerencias
Theme by 
Atmire NV
 

 

Listar

Todo DSpaceComunidades & ColeccionesPor fecha de publicaciónAutoresTítulosMateriasEsta colecciónPor fecha de publicaciónAutoresTítulosMaterias

Mi cuenta

AccederRegistro

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Contacto | Sugerencias
Theme by 
Atmire NV