• русский
    • українська
    • English
    • Deutsch
    • español
    • italiano
  • русский 
    • русский
    • українська
    • English
    • Deutsch
    • español
    • italiano
  • Войти
Просмотр элемента 
  •   Главная
  • Genofond
  • Libgen
  • Просмотр элемента
  •   Главная
  • Genofond
  • Libgen
  • Просмотр элемента
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Сильно легированные полупроводники

No Thumbnail [100%x200]
Открыть
afa1f5a8310f8e15863c15b0a97c1e26.pdf (17.08Mb)
Дата
1967
Автор
Фистуль Виктор Ильич
Metadata
Показать полную информацию
Аннотации
АННОТАЦИЯ В последние годы возможности радиоэлектроники и полупроводниковой техники значительно рйсширились в связи с использованием сильно легированных (вырожденных) полупроводников. Они являются основой важнейших приборов: туннельных диодов, лазеров, датчиков Холла и многих других. Физические явления в сильно легированных полупроводниках и их применение привлекают внимание широкого круга физиков, химиков и инженеров. Ни в Советском Союзе, ни за рубежом до сих пор не было монографии, обобщающей обширный материал, касающийся сильно легированных полупроводников. Настоящая монография восполняет этот пробел. Книга предназначена для физиков, химиков и металлургов, исследующих свойства полупроводниковых материалов, а также для инженеров, занимающихся технологией изготовления полупроводниковых приборов.
URI
http://libarch.nmu.org.ua/handle/GenofondUA/70247
Collections
  • Libgen [81666]

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Контакты | Отправить отзыв
Theme by 
Atmire NV
 

 

Просмотр

Весь DSpaceСообщества и коллекцииДата публикацииАвторыНазванияТематикаЭта коллекцияДата публикацииАвторыНазванияТематика

Моя учетная запись

ВойтиРегистрация

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Контакты | Отправить отзыв
Theme by 
Atmire NV
 

 

NoThumbnail